这项技术迎来重大进展，有望部分替代EUV光刻

证券时报报道，SK海力士从佳能引进纳米压印设备，计划在2025年左右使用该设备开始量产3D NAND闪存，目前测试结果良好。另一存储巨头三星为了解决引进多图案工艺导致的成本上升问题，除导入EUV光刻机之外还开发了包括纳米压印技术在内的3-4种解决方案。此外，铠侠、东芝等日存储大厂在纳米压印技术领域已有相关布局。

一、纳米微印是什么

纳米压印技术（NIL），是一种新型的微纳加工技术。该技术将设计并制作在模板上的微小图形，通过压印等技术转移到涂有高分子材料的硅基板上，可实现纳米级线宽的图形，其加工分辨率只与模版图案尺寸有关，而不受光刻最短曝光波长的物理限制。

根据压印方法的不同，NIL主要可分为热压印（Hot embossing）、紫外固化压印（UV-NIL）和微接触印刷（Micro contact printing cup）三种光刻技术。

二、纳米压印与EUV光刻的比较

在芯片领域，纳米压印尚处于产业化初期阶段，在良品控制、模板寿命等方面存在短板。目前，EUV光刻机等系统复杂度、技术瓶颈和成本问题等日益突出，纳米压印技术迎来曙光，商业化进程明显加速。纳米压印概念非常高深，但实际上它在芯片领域的应用原理并不难理解。纳米压印光刻造芯片就像盖章一样，把栅极长度只有几纳米的电路刻在印章上，再将印章盖在橡皮泥上，得到与印章相反的图案，经过脱模就能够得到一颗芯片。在行业中，这个章被称为模板，而橡皮泥则被称为纳米压印胶。以紫外固化压印为例，其造芯片流程与光学光刻流程如下图。

在芯片领域，纳米压印光刻不仅擅长制造各种集成电路，更擅长制造3D NAND、DRAM等存储芯片，与微处理器等逻辑电路相比，存储制造商具有严格的成本限制，且对缺陷要求放宽，纳米压印光刻技术与之非常契合。与EUV相比，纳米压印技术形成图案的自由度较低，因此预计将优先用于生产维持一定图案的NAND型闪存。如果纳米压印设备实现商用化，以SK海力士为首的NAND闪存企业将能够提高从200层开始的工序难度越来越高的3D NAND闪存领域的生产效率。

在芯片领域，纳米压印尚处于产业化初期阶段，在良品控制、模板寿命等方面存在短板。目前，EUV光刻机等系统复杂度、技术瓶颈和成本问题等日益突出，纳米压印技术迎来曙光，商业化进程明显加速，佳能等半导体设备制造商、材料商以及工艺商纷纷开始涉足这一领域。随着相关领域技术的发展，纳米压印望在部分领域实现对光刻环节的替代。TechNavio数据显示，2026年纳米压印市场有望达到33亿美元，2021年至2026年年复合增长率可达17.74%。